近日，华硕在国产颗粒内存适配领域再添两项关键实测成果。
针对AM5平台长期存在的四根内存满插信号衰减、频率降频的痛点，华硕完成专项BIOS底层调校;在两套不同定位的ROG主板平台，分别实现四根24GB国产颗粒内存满插DDR56000C30稳定过测、双条24GB国产颗粒内存DDR58000C36高频稳定过测，兼顾大容量扩展需求与高频性能，补齐国产颗粒在多内存配置场景下的性能短板。测试二：ROGCROSSHAIR2006+R99950X3D，双条国产颗粒达成DDR58000C36CPU：AMD锐龙99950X3D主板：ROGCROSSHAIR2006复刻版内存：2条国产24GB颗粒内存，双通道1DPC模式实测结果：双通道模式稳定DDR58000C36，完成MemTest完整压力验证。本次ROGB850FNEO达成四根24GB×4满插一键解锁6000C30，ROGCROSSHAIR2006复刻版实现双条24GB×2的8000C36，意味着国产颗粒不仅可以玩极限超频，也可以服务真实的大容量生产力场景。
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