IT之家9月11日消息，参考路透社此前报道，SK海力士在一份声明中表示，该企业目标在2028年将HighNAEUV光刻图案化工艺应用于DRAM的大规模生产。
ASML在当地时间本月8日宣布与台积电、三星电子、英特尔合作，推动HighNAEUV生态系统转向面积更大的12英寸掩膜（光罩）。SK海力士正评估是否加入这一联盟。IT之家注意到，三星电子在同日新闻稿中确认计划在2028年将HighNAEUV技术用于先进DRAM内存的大规模生产；美光则曾表示，计划为第7代10nm级DRAM工艺1δ导入最新一代的EUV光刻设备。
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