三星的新路线图公布了其2nm工艺节点并概述了背面供电计划

2025年，三星将推出其SF2节点(之前称为SF3P)，该节点展示了该公司归因于2nm级工艺技术的功率、性能和面积(PPA)。该制造工艺主要用于高性能计算和智能手机应用，因此三星对其寄予厚望。此外，2025年拥有2nm级节点正式使三星领先于台积电，台积电将于2025年底开始采用其N2工艺制造。然而，这次更名再次凸显了纳米在今天几乎不重要。

次年，也就是2026年，三星计划推出SF2P，这是SF2的性能增强版(有人可能会称之为SF3P+?)。这个节点将进一步完善SF2，具有速度更快但密度更低的晶体管，这表明在提高速度的同时略微降低密度，这是行业中的正常权衡

2027年，三星将发布SF2Z，该技术将采用背面供电，这将使其能够提高性能并增加晶体管密度。此外，这项改进旨在提高电源质量并管理电压降(IR降)，从而解决先进生产中的一个关键挑战。

三星代工厂的SF1.4节点也计划于2027年推出，标志着该公司进入1.4nm级别。与SF2Z不同，SF1.4不包括背面供电，这使三星有别于其行业同行英特尔和台积电，后者将在其2nm级别(20A)和1.6nm级别(A16)节点中引入背面供电。目前尚不清楚三星为何决定在其SF1.4中省略背面供电网络(BSPDN)，但该公司可能希望使这个生产节点更具成本效益。

三星的路线图现在或多或少与“纳米”分类的行业标准保持一致。然而，该公司尚未披露具体的性能优势以及与之前节点或英特尔代工厂和台积电等竞争对手的比较。

除了推出高端节点外，三星还推出了SF4U，这是其4nm级节点的经济高效版本，可通过光学微缩来提高功率、性能和面积(PPA)。SF4U的量产定于2025年进行。

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