SK海力士报告2025年HBM产量已基本售空下季度生产12-HiHBM3E

SK海力士强调，随着人工智能的需求达到极高水平，不仅2024年的HBM销量，而且几乎所有2025年的HBM销量都已售空。

SKhynix2025年HBM销量几乎全部售罄，12-HiHBM3E正在取样并准备在2024年第三季度投入生产

在最近的新闻发布会上，SK海力士宣布计划在韩国清州和龙仁半导体集群投资一座新的M15X工厂，并在美国(印第安纳州)投资先进的封装设施。

SK集团董事长在圣克拉拉总部会见NVIDIA首席执行官黄仁勋。

SK海力士透露，随着人工智能的需求不断增长，其2024年的HBM产能已全部耗尽，甚至2025年的产能也几乎全部售罄，这恰恰表明当前和下一代数据中心对快速HBM内存的需求有多大。NVIDIA是SK海力士的主要合作伙伴之一，正在为其HopperH200和BlackwellAIGPU系列利用其HBM3和HBM3e内存解决方案。该公司预计很快将开始提供12-HiHBM3EDRAM样品，并于下个季度(2024年第三季度)开始生产。

该公司预测，人工智能技术现在将通过数据中心快速扩展到更广泛的设备上应用，例如智能手机、个人电脑和汽车

AI应用对超高速、大容量、低功耗存储器产品的需求预计将呈现爆发式增长

公司在HBM、基于TSV的大容量DRAM、高性能eSSD等多种产品上拥有业界最好的技术

SK海力士准备通过与全球业务合作伙伴的战略合作，为客户提供业界最佳的定制内存解决方案

生产方面，HBM2024年产量已售罄，而2025年产量几乎售罄

HBM技术方面，公司计划5月份提供业界最佳性能的12高HBM3E样品，并于第三季度开始量产

公司的目标是通过更好的成本竞争力、通过增加增值产品销售来提高盈利能力来实现质的增长

该计划旨在通过改变需求环境，采取灵活的投资反应，提高现金持有水平，从而继续改善财务稳健性

该公司致力于为国内经济做出贡献，通过成长为值得信赖的客户、不受人工智能时代商业环境影响的稳定公司，帮助提升韩国作为人工智能存储强国的地位

SK海力士与台积电合作开发HBM4内存和下一代封装技术，Eyes2026第1版

除了HBM3E之外，SK海力士还批量生产容量超过256GB的DRAM模块，并已将全球最快的移动设备LPDDR5T解决方案商业化。展望未来，SK海力士计划推出多种下一代内存解决方案，例如HBM4、HBM4E、LPDDR6、300TBSSD、CXL池内存解决方案和PIM(内存处理)模块。

在DRAM领域，公司量产HBM3E和超高容量超过256GB的模块，同时实现了全球最快的LPDDR5T的商业化

该公司是NAND领域的顶级AI内存供应商，也是60TB以上基于QLC的SSD的唯一供应商

正在开发性能改进的下一代产品

公司计划推出创新内存，如HBM4、HBM4E、LPDDR6、300TBSSD、CXL池化内存解决方案和内存处理

SK海力士专有的MR-MUF是HBM封装的核心技术

从SK海力士采用先进MR-MUF技术成功量产12高HBM3可以看出，MR-MUF将面临更高堆叠技术挑战的观点不正确

MR-MUF将堆叠压力降低至6%水平，通过缩短工艺所需时间将生产率提高4倍，同时与之前技术相比，散热性能提高45%

SK海力士最近推出的先进MR-MUF，在保持MR-MUF现有优点的同时，通过采用新型防护材料，散热性能提高了10%

先进的MR-MUF，采用以优异的翘曲控制着称的高温低压方法，是高堆叠的最佳解决方案，并正在开发实现16高堆叠的技术

公司计划采用AdvancedMR-MUF实现16高HBM4，同时抢先审查HybridBonding技术

另外，该公司上个月宣布计划在印第安纳州西拉斐特建造先进的人工智能内存封装设施

印第安纳州工厂将于2H开始量产下一代HBM等人工智能产品

对于HBM，SK海力士将利用其MR-MUF技术来封装DRAM。该技术的高级版本将用于批量生产12-HiHBM3内存模块，与之前的技术相比，生产率提高4倍，散热性能提高45%。

同样的封装技术将为16-HiHBM内存铺平道路，该公司目前还在审查混合键合技术在其16-HiHBM4模块中的使用。下一代HBM内存预计将于2028年2月在印第安纳工厂开始量产。标准HBM4模块预计将于2026年开始量产，开启人工智能的新篇章。

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