美光全球第一个宣布了232层堆叠的NAND闪存

日前，美光全球第一个宣布了232层堆叠的NAND闪存，全球首家突破200层，已经投入量产。新闪存走的还是TLC，首次引入6个平面，存储密度创新高14.6Gb/mm2，2.4GB/sIO速度提升50%，读取带宽提升785%，写入带宽提升10%，封装面积减小28%，还首发支持NVLPDDR4内存。

不过只过了两天，韩国闪存巨头SK海力士就宣布，计划今年内试产238层的NAND闪存，并在明年上半年量产，比美光多了6层。

SK海力士没有透露238层闪存的技术细节，只是说各家的技术路线图、产品发布节奏不同，SK海力士的首要目标是实现行业最高的盈利水平。

另外，SK海力士计划今年将176层闪存的出货比例提高到70%，并进一步提升毛利率。

国际巨头你追我赶，国产闪存也没停下。

长江存储目前的最新量产闪存是128层，之前有消息称已经试产192层，但也有说法称又跳过了192层而直接切入232层。

但何时量产尚无明确时间表，有说法称今年底就可以，还有的说快则2023年底慢则2024年。

果真如此的话，国产闪存与国际最先进水平的差距，也就一年多点。

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