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三星讨论 12 层 HBM3E 超低延迟 DRAM 和更多内存产品

时间:2024-01-12 16:17:33 来源:
导读 三星正在继续改进其内存产品,以应对向 AI 工作负载的转变,推出 HBM3E Shinebolt、LPDDR5X DRAM 和 LPDDR5X CAMM2 等产品。该公...

三星正在继续改进其内存产品,以应对向 AI 工作负载的转变,推出 HBM3E Shinebolt、LPDDR5X DRAM 和 LPDDR5X CAMM2 等产品。该公司表示,这些内存解决方案将满足那些希望在云端和设备上充分利用人工智能的客户的需求。

HBM3E Shinebolt 是数据中心的解决方案。它采用三星的 12 层堆叠技术,可实现惊人的 1,280GBps (1.28TB/s) 带宽,容量高达 36GB。与上一代 HBM3 相比,这是一个巨大的改进,性能和容量提高了 50%。该公司表示,它将“满足超大规模人工智能时代的内存需求”。

在行业消费者方面,三星推出了 LPDDR5X DRAM。它基于 LPDDR 标准,速度可达 9.6Gbps。通过使用高 K/金属栅极 (HKMG) 技术,与上一代产品相比,它能够实现 30% 的效率提升。

笔记本电脑还将通过 LPDDR5X CAMM2 从三星获得更多内存选项。三星于去年 9 月首次详细介绍了业界首款 7.5Gbps LPDDR5X CAMM2。然而,它现在正在与多个合作伙伴合作,并正在进行将产品提供给客户所需的认证过程。

在设备上,人工智能正变得越来越普遍。三星希望通过 LLW DRAM 来满足这部分市场的需求。该内存针对低延迟进行了优化,同时保留了高性能,达到 128GB/s。它能够以 1.2pJ/b 的功耗做到这一点。三星表示,“由于设备端人工智能需要人工智能模型立即做出响应,因此它是适合在设备层面操作人工智能模型的理想解决方案。”

三星希望利用当前的人工智能热潮,并通过提供一些固态内存产品来实现这一目标。时间会证明硬件制造商和软件开发商是否会充分利用三星的新内存解决方案。

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