三星下一代HBM4内存将于2025年底投入量产下个季度完成流片

三星希望在下一代HBM4内存市场中占据领先地位，这家韩国巨头计划在今年年底前推出这项尖端技术。

三星HBM4内存预计将与SK海力士的同类产品正面交锋;这次竞争将更加激烈

在人工智能的炒作下，HBM行业正在迅速发展，需求飙升至新水平。这促使三星和SK海力士等公司改进其HBM产品，以满足目前市场创新的动力。有趣的是，除了这家韩国巨头正在开发中之外，我们从未真正了解过三星HBM4内存的最新消息，但TheElec的一份新报告披露了有关三星下一代HBM产品的细节，声称该产品已准备好在2025年底前投入量产。

据报道，三星已开始围绕HBM4开展前期工作，预计这家韩国巨头将在2024年第四季度进入流片阶段。流片通常意味着某款产品的设计和生产方法已经完成，因此，我们可以得出结论，三星的HBM4内存预计将于明年在市场上首次亮相。三星的HBM4预计也将很快进入产品样品阶段，虽然我们不知道该公司的潜在客户是谁，但NVIDIA和AMD将会加入其中。

谈到三星的HBM4规格，据说该公司将同时采用逻辑和半导体，这是业界为HBM功能发展发现的新途径。据透露，这家韩国巨头将采用其代工部门的4nm工艺，并将使用10nm第六代1cDRAM，该DRAM被称为市场上最高端的DRAM之一。有趣的是，有传言称SK海力士也决定采用1cDRAM，以配合三星的战略，因此竞争非常激烈。

HBM4将在未来计算市场中扮演重要角色，因为它有望融入主流的下一代AI产品，例如NVIDIA的Rubin架构以及AMD的MI400系列。这里最大的问题是三星和SK海力士这两家公司中的哪一家将受到市场的关注，而这只有时间才能决定。

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